等離子體增強原子層沉積設備
2026年11月1日
AI 生成·可能包含錯誤
視頻概述
AI 生成本影片介紹了等離子體增強原子層沉積(PEALD)設備的工作原理。透過前驅體吸附、惰性氣體吹掃及等離子體活化反應的循環過程,可精準生長單原子層薄膜,為半導體等高科技領域的器件升級提供關鍵技術支持。
等離子體增強原子層沉積設備
先通入前驅體使其吸附基底表面
惰性氣體吹掃殘留後
通入等離子體活化反應
形成單原子膜
循環此過程至薄膜
助力半導體等領域器件升級
本影片介紹了等離子體增強原子層沉積(PEALD)設備的工作原理。透過前驅體吸附、惰性氣體吹掃及等離子體活化反應的循環過程,可精準生長單原子層薄膜,為半導體等高科技領域的器件升級提供關鍵技術支持。
