原子層沉積ALD工藝流程

原子層沉積設備的工藝流程極爲精細,能夠實現原子級別的薄膜生長控制。 設備運行初始,將基片置於反應腔室中。 首先,通入第一種氣態前驅體。 這種前驅體分子會在基片表面發生化學吸附,由於表面化學反應的自限制特性,只會形成一層單分子層。 接着,向反應腔室內通入惰性氣體,對腔室進行沖洗,確保未反應的前驅體及可能產生的雜質被完全清除。 隨後,通入第二種氣態前驅體,其會與已吸附在基片表面的第一種前驅體發生化學反應,生成目標薄膜的一個原子層。 反應完成後,再次利用惰性氣體沖洗腔室,去除反應副產物。 如此,前驅體通入、惰性氣體沖洗,另一前驅體通入、惰性氣體沖洗,這一循環不斷重複,薄膜便以原子層爲單位,一層一層地精確生長。 ALD設備對反應溫度、前驅體通入時間、惰性氣體沖洗時間等參數的控制要求極高,憑藉其出色的薄膜厚度均勻性、一致性以及對複雜結構的良好臺階覆蓋能力。 在納米結構器件製造,如高性能芯片的雜結制層製備等方面,發揮着不可替代的作用。