原子層沉積（ALD）的主要類型

原子層沉積ALD,根據反應機制和前驅體類型, 可分爲不同類別熱原子層沉積, 依靠加熱激活前驅體間的化學反應。 無需等離子體輔助,適用於熱穩定性較好的材料, 如氧化鋁鈦白在存儲器的高K介質層, 如氧化哈沉機中廣泛應用。 薄膜純度高缺陷少,等離子體增強原子層沉積, 引入等離子體如氨氣氧氣等離子, 作爲反應氣體通過等離子體能量激發化學反應, 降低沉積溫度可致室溫。 過展了ALD的材料適用範圍, 能製備金屬如梧桐和氮化物如氮化硅薄膜, 在低溫工藝需求的柔性電子和MEMS器件中不可或缺此外, 還有空間原子層沉積通過將前驅體在空間上分離, 實現連續沉積, 大幅提高生產效率,爲大規模量產提供可能, 是下一代半導體制造的潛力技術。