【半導體工藝】帶你從頭到尾這地瞭解芯片半導體究竟怎麼樣！從半導體工藝流程介紹到封裝工藝圈，全程乾貨無廢話！ P5 - 4、半導體—CMP工藝介紹

好各位冰冰同學大家好 我是小安教育的監工師陳龍 感謝大家觀看 今天給大家帶來的是 半導體行業設備當中的 IC芯片終有製造流程部分 之前我們給大家講了氧化 也給大家講了塗膠乾燥這一部分 也講了成績 這裏給我們來講一個什麼 講CNP 什麼是CNP 首先我們看一下過程裏面 哪裏用到CNP 像這裏用到一個CNP 這裏也用到一個CNP 其實你可以把它講 想象成是一個 拋光的過程 我們磨削研磨以後 達到一定的厚度 達到一定的平整之後 我們再進行拋光 這是CNP它單獨選的名字 它是屬於什麼 它是一個很高精度 達到很高平整度的一種形式 我們也把它稱之爲 化學機械拋光的形式 對吧 很多同學可能不理解CNP 這裏我給大家講解一下 CNP也叫化學機械研磨 我們講晶片上面 爲什麼能達到 這麼高的一個平整度 它的主要作用 就是對晶圓表面進行全局平的話 如果說我們不平整的晶圓表面 它的形狀肯定是 不理想的 這時候我們在做加工 或者說做後續的動作 肯定是無法實現的 它最嚴重的後果 就是無法在晶的硅片的表面 去進行圖形的製作 進行層級作用 對吧 當層數在增加的時候 我們的流程在增加的時候 這個時候 它很有可能表面的起伏 會更加的放大 更加的顯着 所以說一般來講 我們是避免這種工化 CNP就是在 綜合了化學研磨和機械研磨的優勢 它裏面既有化學研磨液 就是它會有一個克時鈍 就有腐蝕鈍 就像我們電化元腐蝕那種類型 對吧 我們可以達到一個很高的光線度 同時在裏面 它腐蝕液 腐蝕到我們的化學腐蝕液 腐蝕到表面 軟化到歸晶圓表面以後 然後我們再進行 極小細顆粒的這種研磨方式 就是液體裏面 還有很多的一些懸浮的一些微小顆粒 也就是我們納米級別的微粒 就這種形式再進行拋光 它可以怎麼樣 可以達到很好的一個效果 它結合了化學研磨和機械研磨的優勢 可以實現什麼 可以實現納米級的拋光形式 不是我們突然講了一個沒有兩個沒有 它是實現納米級的拋光形式 達到原子級的表面粗糙度 所以說沒有CNP的這種形式的話 基本上我們高精度的 比如說我們300納米以上的這種 集成電路 基本上沒有辦法去做生產 好 那麼研磨液它是水原片的嗎 不是 因爲它裏面會有很多的東西 就是它的配比非常關鍵 它會根據晶圓的不同 或者說晶圓材料不同厚度不同的 這個時候我們要進行不同的配比 以及我們拋光打磨的時候 我們用的拋光頭它也是非常關鍵的 所以它核心工藝或者核心的部分 就兩個 第一個就是我們的 物理拋光的頭 第二個就是我們的化學拋光的頭 對不對 化學拋光的研磨液裏面 比如說我們PSG的調整 比如說我們的克氏液的濃度 比如說我們中間顆粒含量的濃度形式 各種對不對 因爲比較多的情況下 如果顆粒微顆粒比較多 這個時候它可能會凝結 對吧 凝結之後它變成大顆粒 這個時候它會劃傷我們晶圓表面 是這樣的一個形式 好 這裏就簡單介紹一下我們CMP的作用 主要是爲了達到更高的 後續的一個打造精度 好 這節課我們就講到這裏 感謝大家觀看 感謝大家的關注 大家一鍵三連多支持一下 我是陳老師 期待下次再會