【半導體工藝】帶你從頭到尾這地瞭解芯片半導體究竟怎麼樣!從半導體工藝流程介紹到封裝工藝圈,全程乾貨無廢話! P6 - 5、半導體—離子注入工藝介紹
2026年10月23日
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視頻概述
AI 生成本视频详细讲解了半导体芯片制造中游工艺中的“离子注入”(Ion Implantation)技术,探讨了其定义、作用、操作流程以及在构建PN结和晶体管中的关键角色。
各位同學大家好
我是小羊教育監工師陳龍啊
感謝大家觀看
今天給大家帶來是半導體行業
設備IC芯片之中游製作流程的不分工藝啊
之前我們講了很多了講的這個氧化
啊講的塗膠啊也講的這個乾燥啊
講的這個啊
撐機講的CMP啊
那今天呢
我們再來講一個新東西叫什麼叫
離子柱柱啊
那什麼是離子柱柱呢
離子柱柱在那有什麼作用啊
就是離子柱柱在這個設備裏面
它是必不可缺少的一部分啊
是吧
它整個工藝裏面
它會重複很多次的離子柱工藝啊
它主要的目的呢
就是改變我們的這個芯片結構啊
改變半導體這種材質性能啊
好我們講第五啊
離子柱啊我們也稱爲摻雜工藝啊
摻雜工藝它的過程是什麼樣的啊
這裏再給大家打開另外一張圖片啊
它的這個原理過程就是這樣啊
是半導體這過程中至關重要的一個步驟啊
摻雜是將一種元素啊
我們就爲什麼叫摻雜
爲什麼叫離子柱
就將一種元素引入到半導體的
去改變半導體
或者改變我們晶體的這個導電性能
形成這個片結的一個過程啊
好那麼離子柱過程是什麼樣的啊
首先的話我們要選擇一個摻雜物
就是我到底要注入哪一種物質啊
給他稍微放大點啊
到底要注入哪種物質
那這個注入選擇一般來講我們有呃
兩種選擇
我們要選擇合適的類型對不對
好那麼在歸呃半導體當中
我們常用的這種摻雜元素啊
一般是有呃兩種
第一種呢就是呃像靈啊
像生這種形式對吧
就是他會形成一個
恩結啊會形成一個恩結對吧
那麼另外一種呢他是一個什麼
呃比如說我們棚啊
呃這個架子這種這種形式
他是我們的P型摻雜物啊
這兩種摻雜物他會
根據不同的我們的層級以及離子柱啊
會形成不同的這種型
呃這個偏極啊
好那離子啊
支援設備一般來講我們的離子柱
就是我們的離子支援設備啊
他是什麼樣的樣式啊
首先呢我們將他的摻雜物啊
置入我們的這個啊
等離子源當中啊等離子源中的
然後呢加熱啊加熱並施加電壓
然後呢電離然後形成我們的這個啊
高能離子
然後再通過離子加速啊
當然這個是我們的三元過程啊
通過離子加速的直接打在哪裏呢
打在我們的這個晶體表面
啊形成電場加速形成離子數量
直接打在我們的離子柱啊
離子柱直接打在我們的這個
呃晶體表面啊
準確的攝入到我們的硅晶圓的表面啊
那他的擊打能量是比較高的
他直接可以穿透我們的這個
呃硅晶圓的表面的一些氧化層啊
這個時候呢就能達到我們的這個目的啊
注入到我們的一定的這個深度
當然我們的能量
或者說呃改變我們的離子數的能量
或者說注入量呢
就能改變他的這個
嗯深度啊和這個濃度
但是呢我們在呃這個
擊打完成以後或者講離子數以後呢
我們會有一個動作叫什麼呢
啊給大家看一下啊
會有個動作叫什麼呢
叫這個啊這沒有嗎
嗯再給他換一個啊
因爲這裏面的有些東西叫什麼叫退火啊
爲什麼叫退火呢
我們知道退火工藝一般是用在啥
在材質裏面啊
我們講金屬材質退火是幹嘛
對那這個時候你就做說啊
晶圓表面他會受到一定的損傷
那這個時候我們退火了其實就是修復
啊同時呢降低他的這個表面的什麼
硬力啊
同時的啊
細化了之後進行這個修復啊
然後呢同時也會激活我們
蒼的一些離子形成一個混合物啊
那這個時候我們要進行高溫的退火啊
通過摻雜通過這種啊
過程呢我們就可以造出N極或者P極啊
然後再通過這個薄膜成績的這個技術啊
能夠進行這個絕緣或者說呢
做成做做這個做成一個導通
做成導通迴路啊
啊這個時候呢我們啊再
通過這三個就是我們的諸作
以及薄膜成績啊
然後通過這個研磨對吧
通過這種動作啊
然後呢一步一步交替諸作N極和P極啊
這種參照物
就能夠製造出什麼
製造出我們的呃偏潔啊
製造出我們的偏潔
達到我們的這個二極管或者說
呃這個晶體管的這種這種器械形式啊
啊生存我們的這個啊芯片好吧
那這節課呢我們就講到這裏啊
感謝大家觀看
感謝大家支持和關注啊
大家一鍵三連多支持一下老師
好我是陳老師啊
期待下次再見再會

