【全748集】目前最全最細的半導體工藝教程，2026最新版，包含所有乾貨！從入門到精通，少走99%的彎路！存下吧！很難找全的！ P16 - 第十五講：退火

在上節課的話 我們是講的離子注入 那麼離子注入之後的話 因爲一些離子的話 破壞了它的晶格結構 所以說它就需要用退火 來修復它的結構 好 那麼我們就來看一下退火 它的工藝有哪一些 在芯片製造中 退火工藝無處不在 通過將晶圓加熱到一定溫度 並在此溫度下保持一段時間 然後以恆定的速度冷卻 以達到修復晶格缺陷 促進雜質分佈的目的 晶圓退火工藝 可分爲顱管退火 快速熱退火 RTA激光退火 離子束退火等 目前晶圓廠中最常見的 RTA退火系統 成本適中 均勻性好 能夠在幾秒到幾十秒的 極短時間內 迅速升溫 保溫與冷卻 大大提高了 晶圓退火效率與效果 好 那麼這就是退火的一個流程 那麼退火之後的話 其實我們晶圓就要開始薄膜沉積了 薄膜沉積 好吧 好 那麼本期課的內容到這就結束了 同學們 再見