【全748集】目前最全最細的半導體工藝教程,2026最新版,包含所有乾貨!從入門到精通,少走99%的彎路!存下吧!很難找全的! P15 - 第十四講:離子注入(摻雜)
2026年10月21日
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視頻概述
AI 生成本视频详细讲解了半导体制造中的“掺杂”工艺,重点对比了传统的扩散法与现代的离子注入法。视频解释了离子注入的物理原理、设备流程以及后续的退火修复工序,旨在让学习者理解如何通过引入杂质离子来改变晶圆的电学特性。
大家好
我是清真教育主要老師
本集的話
我們來講一下
這個離子珠
也叫摻雜
那麼這個離子珠的話
它其實是把其他一些零離子
把它摻雜到我們這個金元裏面去
好
那麼我們就來看一下
這個離子珠
它到底是什麼樣的一個原理
好
我們一起來看下這個視頻
好
我們來看一下
第八步
摻雜
假設現在我們已經在二氧化硅薄膜上
用氪石挖出來兩個洞
接下來
我們就需要把零通過這兩個
就像墨汁在水中會散開一樣
在固體當中
原子也會散開
不過我們需要足夠的溫度和濃度
所以我們把金元放在高溫的擴散爐管中
通入足夠濃度的雜質蒸汽
雜質原子就會擴散到金元上
然後一點一點擴散到裏面
然後你就完成了摻雜
但是隨着芯片尺寸越做越小
擴散方式的摻雜
因爲不能精確控制
就不太夠用了
注入是用高能粒子數
將雜質直接攝入到灰片中
剛纔擴散的方式的話
其實它就只適用於那種
只適用於那種精度不高的金元
比如說那種28納米的
或者說100納米以上的
對不對
那麼像我們現在7納米
3納米這種芯片的話
用這種摻雜就不可能實現了
就不可能
那麼這裏的話
它就需要用到其他的方式了
那麼我們一起來看一下
粒子注入裝置長這個樣子
最上頭是粒子注入源
因爲氣體最方便操作
所以一開始我們注入氣體
比如磷丸或者三氟化硼
這些氣體通過磷化反應室時
被裏面的高速電子撞擊
電子撞飛了
變成磷子狀態
不過這個時候的磷子成分很複雜
比如我們現在需要硼磷子
但撞出來的磷子可能既有硼磷子
又有氟磷子
還有各種氟化硼磷子
要是一股腦給射到晶圓裏
這塊晶圓就毀了
怎麼辦呢
需要通過質譜分析儀
把需要的離子挑出來
怎麼做呢
給它加一個外部的磁場
磁場的作用就是讓離子發生偏轉
因爲離子的話
它是帶電荷的
那麼帶電荷的東西的話
它在磁場裏面的話
它是會受到一定的作用力
所以說它就會發生偏移
那麼偏移的話
其實它是根據你帶電荷的數量
發生的偏移也不同
所以說它就是這個原理
那麼這就是離子注入了
然後通過磁透鏡
再次聚焦
在飛行的過程中
它們可能和空間中殘留的氣體分子
撞擊
導致某些粒子被中和
清除掉這些中性粒子
我們必須再加一個彎曲磁場
於是帶正電的粒子
再次成功拐彎
最後撞擊到晶圓上
而中性粒子就直接飛出跑道之外
這就是離子注入方式的摻雜了
離子注入可能會撞壞原來
那麼這就是離子注入了
那麼離子注入的話
其實在這個過程當中的話
其實有一個比較嚴格的要求
就是要要求真空
真空
因爲如果說你不是真空環境的話
那麼你這些離子
那麼就會和空氣裏面的一些
分子來撞擊的話
那麼這樣的話
整個過程就毀了
對不對
所以說就需要真空環境
好
那麼這就是離子注入
那麼我們離子注入的話
它也可能會撞壞
原來硅晶體中的一些晶格結構
硅晶體中的晶格結構
造成損傷
爲了修復這些損傷
我們需要把它放在600-1000度的
氫氣中烤一下
俗稱退火
對
所以說我們離子注入
這的話
下一步工序
它就是退火了
好吧
那麼本節課的內容到這裏就結束了
同學們再見

