二維二氧化矽：電子領域最薄的閘極電介質，將石墨烯片與基板分離，並且是具有負泊鬆比的拉脹材料家族的一員

先前在各種金屬基底上生長的兩種類型的二維二氧化矽是：

1. SiO4四面體基2D二氧化矽：此類2D二氧化矽以SiO4四面體為基礎，並透過共價鍵結合到基材上。兩種類型的二維二氧化矽之間的區別在於，第一種類型基於SiO4 四面體並與基材共價鍵合，而第二種類型由類石墨烯完全飽和片組成，透過弱范德華鍵與基材相互作用。二維二氧化矽（2D 二氧化矽）是二氧化矽的層狀多晶型物。兩種類型的二維二氧化矽都具有六方對稱性，先前已在各種金屬基底上生長。一種是基於 SiO4 四面體並與基材共價鍵結。第二種由類石墨烯完全飽和的片材組成，它們透過弱范德華鍵與基材相互作用。要使用二維二氧化矽將石墨烯片與基底分離，必須先在基底上生長二維二氧化矽。一旦二維二氧化矽在基板上生長，就可以向二維二氧化矽施加電場，這將導致石墨烯片被吸引到二維二氧化矽。然後可以透過將二維二氧化矽從基底上提起來將石墨烯片與基底分離。該過程可以重複多次，以將多個石墨烯片從基底上分離。二維二氧化矽（2D 二氧化矽）是二氧化矽的層狀多晶型物。兩種類型的二維二氧化矽都具有六方對稱性，先前已在各種金屬基底上生長。一種是基於 SiO4 四面體並與基材共價鍵結。第二種由類石墨烯完全飽和的片材組成，它們透過弱范德華鍵與基材相互作用。