吸收邊、吸收不連續或吸收極限：物質吸收光譜中的急劇不連續性

吸收邊、吸收不連續或吸收極限是物質吸收光譜中的急劇不連續性。這些不連續性發生在吸收光子的能量對應於電子躍遷或電離勢的波長處。當入射輻射的量子能變得小於從吸收原子或其他量子態之一發射電子所需的功時，入射輻射不再被該態吸收。吸收邊、吸收不連續或吸收極限是物質吸收光譜中的急劇不連續性。這些不連續性發生在吸收光子的能量對應於電子躍遷或電離勢的波長處。當入射輻射的量子能變得小於從吸收原子或其他量子態之一發射電子所需的功時，入射輻射不再被該態吸收。當入射輻射的量子能變得小於從吸收原子或其他量子態之一發射電子所需的功時，入射輻射不再被該態吸收。例如，入射到原子上的輻射，其波長對應於略低於原子中 K 殼層電子的結合能的能量，不能發射 K 殼層電子。 Siegbahn 符號用於吸收邊的符號。

在化合物半導體中，不同種類的原子之間的鍵結形成一系列偶極子。Siegbahn 符號用於吸收邊的符號。在化合物半導體中，不同種類的原子之間的鍵結形成一系列偶極子。這些偶極子可以吸收來自電磁場的能量，當輻射頻率等於偶極子的振動模式時，就會出現與輻射的最大耦合。當這種情況發生時，吸收係數達到峰值並出現基本邊緣。這發生在光譜的遠紅外線區域。在化合物半導體中，當輻射頻率等於偶極子振動模式時，吸收係數達到峰值並出現基本邊緣。這發生在光譜的遠紅外線區域。等於偶極子的振動模式，出現吸收係數峰值和基本邊緣。這發生在光譜的遠紅外線區域。