【半導體精講】這絕對是講的最全最細的半導體教程,從0到1帶你徹底瞭解芯片半導體工藝!包含半導體工藝流程介紹、IC芯片、氧化、沉積工藝、CMP等等全工藝流程! P18 - 第17講—晶圓減薄

动力洪流
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視頻概述
AI 生成本视频介绍了集成电路(IC)制造中金属化之后的研磨工艺及晶圆减薄过程。重点讲解了利用CMP设备进行研磨,以及在封测阶段通过金刚石砂轮对晶圆背面进行减薄的具体操作步骤与原理。
大家好
我是天真教育主管老師
那麼在金屬化之後的話
我們下一步的話
其實對於我們這個基源
其實還是需要進行一個研磨的
那麼這個研磨的話
其實和之前的研磨差不多啊
也是需要這個CMP研磨設備是吧
那麼這個研磨的話
我就不多講
不多講
因爲這個的話之前也說過了
對不對研磨的話
他也不是屬於什麼非常高端的工藝啊
那麼這個IC製造完成之後的話
那麼下一步的話
他就是那個IC封裝測試了
那麼這個IC封裝測試的話
首先第一步的話
他就是這個晶圓剪薄啊
他不需要那麼厚啊
所以說我們就需要把他的背面再給他磨薄一點點啊
那麼我們來看一下他的一個視頻
好吧
那麼其實關於後段的設備的話
我們國產是都沒問題的
晶圓剪薄的具體步驟是把所要加工的晶圓粘貼到剪薄膜上
然後把剪薄膜及上面芯片利用真空吸附到布孔陶瓷成品臺上
飛行金剛石砂輪工作面的內外圓
就是通過這個上面的這個砂輪啊
來磨這個整個晶圓的背面啊
從而實現剪薄的目的
從中間調整到硅片的中心位置
硅片和砂輪照各自的軸線迴轉進行切劑磨削
磨片時
需要在正面貼膠帶保護電路區域
同時研磨背面
研磨之後
取出膠帶測量厚度
好
那麼這就是我們整個晶圓剪薄的一個原理及過程
好吧
那麼本期課的內容到這裏就結束了
同學們再見
