等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備工藝流程

等離子體增強化學氣箱沉積設備 藉助等離子體來促進化學反應 實現薄膜沉積 設備開啓後 首先將反應槍室抽真空 營造一個低氣壓環境 通常氣壓在1億百帕 接着通入包含目標薄膜元素的氣態前驅體 如製備氮化硅薄膜時 會通入硅烷和氨氣 此時向反應槍室內施加射頻電場 使槍室內的氣體電離 形成等離子體 等離子體中 富含高活性的離子 電子和自由基等粒子 極大地降低了化學反應所需的活化能 使得原本需要在高溫下才能進行的反應 能在相對低溫 一般小於450攝氏度環境下高效發生 在等離子體的作用下 氣態前驅體分解 活性原子或分子在基片表面吸附 反應並沉積 逐漸形成薄膜 期間反應產生的副產物 同樣會被及時排出槍室 PEC-VD設備的優勢在於低溫沉積 這不僅節省能源 還能減少對熱敏感基片材料的損傷 同時降低了高溫導致的材料內部缺陷 該設備在太陽能電池製造中 用於沉積減反射膜、鈍化膜 以及在集成電路製造中 沉積絕緣介質薄膜等方面應用廣泛 通過精確調控射頻功率 氣體流量、氣壓等參數 可製備出滿足不同需求的高質量薄膜