【半導體工藝】強推!這絕對是講的最全的半導體工藝教程,從入門到精通,包含所有半導體乾貨內容,逼自己一週學完!只要這套教程足矣! P15 - 15.退火
2026年10月20日
視頻概述
AI 生成本課介紹了芯片製造中的退火工藝。退火旨在修復離子注入後破壞的晶格結構並促進雜質分佈,通過加熱、保溫與冷卻實現。目前工業界最常用的是快速熱退火(RTA),因其成本適中、均勻性好且升溫冷卻速度快,能顯著提升生產效率。
在上節課的話
我們是講的離子注入
那麼離子注入之後的話
因爲一些離子的話
破壞了它的晶格結構
所以說它就需要用退火
來修復它的結構
好
那麼我們就來看一下
退火它的工藝有哪一些
在芯片製造中
退火工藝無處不在
通過將晶圓加熱到一定溫度
並在此溫度下保持一段時間
然後以恆定的速度冷卻
以達到修復晶格缺陷
促進雜質分佈的目的
晶圓退火工藝
可分爲顱管退火
快速熱退火
RTA激光退火
離子束退火等
目前晶圓廠中最常見的
RTA退火系統
成本適中
均勻性好
能夠在幾秒到幾十秒的
極短時間內
迅速升溫
保溫與冷卻
大大提高了
晶圓退火效率與效果
好
那麼這就是退火的一個流程
那麼退火之後的話
其實我們晶圓就要開始薄膜沉積了
薄膜沉積
好吧
好
那麼本期課的內容到這裏就結束了
同學們
再見

