【全1320分鐘】大佬爆肝！2026年最全最細自學機械設計教程！從材料選型、表面處理、加工工藝開始講起 到公差、電機、氣動、傳動、標準件選型，最後在進行實戰 P29 - 半導體——刻蝕

大家好 我是清真教育主要老師 那麼本節課的話 我們就來看一下 氪石它到底是怎麼回事 在上一個的話 我們是已經講到了銜引 銜引的話 它就是把光刻膠 被光刻機刻到的地方 把它給衝解 把它給溶解掉 對吧 好 那麼它把那些地方溶解之後的話 那麼就要氪石了 那麼氪石的話 它是需要氪石機子 好 那麼我們來看一下氪石 它到底是怎麼樣的 第七步 氪石 爲了把光刻膠上 以及銜引的東西 刻到芯片裏 我們需要進入下一步了 這就是氪石 氪石其實和銜引有點類似 銜引是在光刻膠上挖坑 氪石是在硅片上挖坑 既然不 對 我們銜引是在光刻膠上挖坑 氪石是在硅片上挖坑 當然的話 它這裏挖的坑 其實是它表面的一層氧化層 二氧化硅 光刻膠上不需要的地方 已經被去掉 露出了下面的硅片 最容易想到的挖坑方式 還是浸泡 我們把整個硅片放到氪石液中 露出來的部分就被溶解掉了 於是光眼膜上的圖像 就被永久的刻到了硅片上 這種通過浸泡來溶解挖坑的方式 叫做施法氪石 施法氪石很簡單 比如各項同性問題 你希望的氪石方式是這樣的 只溶解下面的部分 但氪石液在實際溶解的過程中 可是不分前後左右的 於是最後挖出來的坑 可能是這樣的 這就叫各項同性問題 再比如選擇比的問題 氪石液在溶解硅片的同時 也會溶解光刻膠 只不過一個溶解快 另一個溶解的慢 兩者溶解速度的比值 就叫做選擇比 假設你要在硅片上挖出一個深坑 但是氪石液的選擇比卻不夠大 那麼很可能你坑還沒有挖完呢 周圍的光刻膠 已經被溶解乾淨了 於是爲了滿足更高的工藝要求 我們有了幹閥刻石 要做幹閥刻石 你需要一個容器 這個容器叫做反應室 反應室上方有一個圓盤狀的電極 能夠產生射頻電場 在反應室的下方 我們接上負極 同時把晶圓放上去 然後我們從一邊通入反應氣體 反應氣體在射頻作用下 就會被電離成等離子體 等離子體由帶負電的電子 和帶正電的離子組成 於是帶正電的離子 就會被吸引到晶圓這一邊 高速的離子撞擊到晶圓上 就會把晶圓上漏出來的部分刻石掉 幹閥刻石因爲反應氣體的不同 會有不同的特點 如果反應氣體是腐蝕性氣體 主要還是靠腐蝕 這種攻擊就是化學攻擊 選擇比會比較好 但是各項同性問題會更嚴重 如果反應氣體是惰性氣體 那就主要是靠高速的離子 把晶圓上的原子撞飛 這就是物理攻擊 各項同性問題可以避免一些 但是這種攻擊屬於無差別攻擊 所以選擇比就會差很多 說到這裏 我們順便說一句 刻石是我們在整個芯片製造流程中 最少被卡脖子的環節之一 中微公司的三納米刻石機 已經能夠量產 具備了在國際市場上 和頂尖廠商掰掰手腕的能力 刻石在芯片製作中有很多作用 它既可以刻出芯片上的溝槽和凸起 也可以刻石掉表面的二氧化硅阻擋層 好在硅晶體中摻雜別的元素 來製造晶體管 我們回頭看看一開始提到的MOS管 上面這兩塊是施主 也就是n需要摻0 只需要通過摻雜來實現 那麼這就是刻石 那麼刻石其實說白了 它就是一個化學反應 不管是用我們的刻石液來實現 還是說用那種鋼筏刻石來實現 對不對 所以說的話 從原理上來講的話 刻石是比較簡單的 是比較簡單的 所以說我國也很少被卡脖子 對吧 好 那麼本節課的內容到這裏就結束了 同學們再見