納米級的晶體管是如何一步步發展起來的

這是一個800納米制成的晶體管,該晶體管在1989年被集成在Intel 80486處理器上,成爲首個突破百萬晶體管限制的處理器。 4年過後的1993年,晶體管制成來到350納米,集成在Intel的奔騰處理器,晶體管數量達到310萬個,這是3D閃存的存儲單元。 這種存儲單元常用於固態硬盤的閃存芯片上,這個是DRAM的動態存儲單元,單個存儲單元只有131納米,我們電腦的內存芯片使用的就是這種存儲單元。 2003年,90納米的晶體管被開發出來,該晶體管集成在了Intel的新一代奔騰處理器上,晶體管數量達到750萬個。 4年過後的2007年,晶體管的製成來到了45納米,它被集成在了Intel的R3,I5和I7處理器上,晶體管數量達到上一個。 僅僅3年後,晶體管的製成再次突破,來到22納米,這時芯片上集成的晶體管數量突破了10億個。 2012年開始,14納米的騎士場效應晶體管閃亮登場,這是一個比較大的突破,因爲當晶體管制成小於20納米時,會出現漏電的現象,造成電路失效,騎士場效應晶體管很好地解決了這個問題。 2019年開始,晶體管進行了進一步的升級改進,誕生了5納米的騎士場效應晶體管,晶體管性能再一次得到巨大提升。 當晶體管制成來到3納米時,騎士場效應晶體管也出現了漏電魔咒,這就又誕生了工藝更加複雜的環山場效應晶體管,這種晶體管不僅能解決漏電問題,而且運行速度更快,功耗更低,人類在探索納米級晶體管的腳步從未停止過。 這些納米級的晶體管,對人類使用不可思議的智慧,構建出了高科技的信息廟宇,並無時無刻改變着我們的生活。