MOSFETS and BJTs三級管和MOS管的工作原理

紅色球體代表正電流， 這與電子電流的方向相反。 在雙極性接面電晶體中， 一股微小的電流流入中間端子 控制晶體管另外兩個端子之間流過的較大電流。 雙極性電晶體是兩種主要電晶體類型之一。 在這種其他類型的電晶體中， 中間端子沒有電流流過。 在穩態條件下。 這裡，是中間端子的電壓 控制其他兩個端子的電流。 這稱為場效電晶體。 場效電晶體主要有兩種類型， 以及兩種主要類型的雙極性電晶體。 我們可以通過箭頭來區分它們。 指向或遠離中間端子。 在雙極性電晶體中，正向電流流向與箭頭方向一致。 紅色球體代表正電流。 這是一個NPN雙極性電晶體。 這是一個PNP雙極性電晶體。 這裡，正電流從中間端子流出 控制電晶體的。 現在讓我們來關注場效電晶體。 場效電晶體的兩種主要類型 存在兩種不同類型的金屬氧化物半導體場效電晶體， 縮寫的MOSFETs。 這是一個N通道金氧半場效電晶體。 和往常一樣，紅色球體代表正電流的方向。 這裡，中間端子上的電壓下降 會導致電流減少。 中間端子上的電壓升高 會導致電流增加。 此關係對於 P 沟道 MOSFET 則相反。 在這兩種情況下，控制電晶體的電壓 是我們稱之為閘極與源極之間的電壓。 在N通道的範例中，源極顯示在底部。 在 P 通道的範例中，源極顯示在上方。 在兩種情況下，閘極與源極之間的電壓差異 必須超過某一臨界電壓後才會產生任何效果。 由於這是閘極與源極之間的電壓 控制電晶體的 如果我們提高漏極的電壓，電流不會增加太多。 但如果我們降低漏極電壓， 我們最終會達到一個電流顯著下降的點。 雙極性電晶體的行為與場效電晶體不同， 而且終端的名稱各不相同。 這裡，當電流流過時 基極電壓與發射極電壓之間的差異 維持在約 0.7 伏特 而集電極電流等於基極電流乘以一個很大的常數。 假設我們再添加另一個電阻，如圖所示。 通過此電阻的電流發生變化 導致其兩端電壓降發生變化。 在此，集電極電壓比發射極電壓高 0.3 伏特。 如果基極電流進一步增加， 集電極電壓無法再降低。 這裡，所有的電流都保持不變。 在這裡，雙極性電晶體的行為如同處於導通狀態的開關。 但它不是理想的開關，因為其兩端有0.3伏特的壓降。 另一方面，當金氧半場效電晶體在導通狀態下表現如同開關時， 它不是理想的開關，因為它的行為如同一個電阻值很小的電阻。 MOSFET 無法在反向阻斷 因為其本體內部已內建了一個二極體。 此外，每個MOSFET內部本質上都內建了各端子之間的電容器。 雖然影片中並未顯示， 這些電容器需要充電和放電， 因此，電路中會有瞬間的電流流經閘極端子。 當閘極電壓改變時。