薄膜製備工藝
1 觀看·2026年10月22日
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視頻概述
AI 生成本視頻介紹了薄膜製備的兩大核心工藝：物理氣相沉積（PVD）與化學氣相沉積（CVD）。詳細分析了CVD的各類細分技術（如LPCVD、PECVD、ALD）在沉積速率、覆蓋能力、溫度控制及光伏電池（如TopCon、HJT）生產中的具體應用與優劣勢。
薄膜製備工藝分為物理氣象沉積PVD和化學氣象沉積CVD
PVD通過氣化材料源並藉助低壓氣體等粒子體實現沉積
像蒸發、建設、離子樹等都屬於此類
CVD則是通過氣體混合的化學反應在硅片表面成膜
依據反應條件又細分為長壓CVD、低壓CVD等粒子體增強CVD
高密度等粒子體CVD和原子層沉積
低壓CVD具備出色的階梯覆蓋能力
能很好地控制組成成分與結構
沉積速率和輸出量高
還能降低顆粒污染
常用於TopCon電池的拋離層製造
等粒子體增強CVD能實現低溫沉積
可節省能源
降低成本
在PERC、TopCon、HJT等多種電池片工藝中廣泛應用
原子層沉積的成膜均勻
緻密且無孔洞
排階覆蓋特性佳
能在低溫下進行
可精確控制薄膜厚度
適用於不同形狀基底
但成膜速度較慢
常用於生產納米結構絕緣體等