【冒死上傳！】已經替大家付費了！！這絕對是講的最全的半導體工藝教程，從入門到精通，少走99%的彎路！這還學不會，我退出機械圈！

將帶你一口氣學會半導體工藝知識 教程只講重點 任何基礎都能學會 課程將會講到 1.半導體工藝流程 2.拉硅棒 3.硅棒研磨 4.切硅片 5.倒角 6.研磨 7.清洗剖空 等方面的知識 還爲大家整理了機械設計全套學習資料 需要的同學留個關注加66 我罰你 關於半導體也就是我們理解的芯片 它的製造工藝流程的話 其實總共是分爲三部分 第一部分的話是單晶硅片的製造 第二部分的話是IC製造 也就是晶圓製造 第三部分的話就是IC晶圓 它的一個封裝測試 主要的流程是分爲這三部分的 單晶硅片製造的話 它是屬於前段工藝 這裏是屬於前段工藝 這裏是屬於中段工藝 這裏的話是屬於後段工藝 那麼大家知道我國卡脖子的工藝的話 其實是屬於中段工藝的 那麼本期的話就先帶着大家一起來看一下 它整個的一個工藝流程 那麼從硅片製造開始的話 首先第一個是拉硅棒 那麼拉硅棒的話 顧名思義就是拉一根單晶硅的一個棒子 然後再對這個棒子的話進行一個研磨 研磨之後的話 再把這個棒子把它一片一片一片的 把它給切出來 就是切片 那麼切片之後的話 那麼對於這每一個片的話 我們都會對它進行導角 那麼導角之後的話 那麼再對每一片的一個硅片的話 都會進行研磨 研磨之後的話再來進行一個檢測 那麼檢測之後的話 那麼就是清洗了 那麼至此的話 我們整個的一個單晶硅片的製造 也就是前段工序就完成了 那麼後面的話 就是我們的IC晶圓製造了 這部分的話就比較麻煩了 那麼第一步的話是氧化 那麼在我們硅片表面形成一層二氧化硅的氧化膜 那麼第二步的話就是那個塗膠烘乾了 那麼這個塗膠的話 其實它塗的就是這個光刻膠 然後再烘乾 把這個光刻膠把它給烘乾 那麼再下一步的話就是光刻了 光刻的話大家也知道 也是我國被卡脖子這個地方 光刻 那麼現在主流的有DUV有EUV光刻 是不是 那麼光刻之後就是顯影 顯影就是把我們通過光線 把它刻實的部分的話 把它給去掉 就是顯影 好 那麼下一步的話 下一步的話就是石刻 那麼石刻之後 那麼就是去膠了 那麼去膠的話 其實就是把我們在這裏塗的光刻膠 把它給去掉 是吧 好 那麼去膠之後的話就是離子注入 那麼這裏注的是一些鋰離子 鋰離子 好 再然後就是退火 再就是薄膜成積 薄膜成積 下一步的話就是金屬化 其實這也是一 其實這也是一步那個刻實 好 那麼這裏刻實之後的話就是研磨了 研磨 那麼至此的話 我們整個的一個單個的晶圓 其實就把它給製造好了 製造好了 好 那麼這是我們的中段工序 完成之後的話 那麼就是我們的後段工藝 後段後段工序的話 其實就比較簡單了 第一個的話就是我們的晶圓剪薄 就是說我們要把這個晶圓 把它弄薄一點 因爲我們把這個晶圓 我們是需要把它裝在其他地方的話 所以說所以說它就需要很薄 所以說這裏的話 它就需要這個晶圓剪薄設備 好 這個晶圓剪薄之後的話 我們就需要畫片了 就是就是把這個 整個一個圓形的晶片 是一個圓形的 單晶硅片上面的 把它畫一些那個格子 格子 好 那麼畫面之後的話 就是貼片了貼片 那麼就是把我們這個 一塊塊的 一塊塊的芯片 把它貼到我們那個封裝板上面去 那麼下一步的話 那麼就是引鍵結合了 那麼就是我們 就相當於這個導線 我們把這個導線 和我們這個芯片上面的一些地方 把它結合 那麼再後面就是封裝測試 那麼測試之後的話 我們整個芯片的製造的話 那麼就算是完成了 總共的話是有25個工序 總共的話是有25個主要工序流程 好 那麼這就是我們本期課內容 那麼從下期開始的話 我們就逐步的來探討 來講解每一個工序 它到底是怎麼樣的 好吧 那麼同學們再見 大家好 我是天生教育主號老師 本期課的話 我們就來看到這個 單晶硅片製造的工藝 那麼首先的話 第一個工藝的話 就是我們這個拉硅棒 拉硅棒這個工藝的話 它需要的設備 是這個半導體 單晶硅棒拉晶設備 那麼這個設備的樣子的話 它大概就長這個樣子 因爲這個設備的話 從原理上來看的話 它是比較簡單的 它就是一個很大的加熱爐 然後再加一個提升機構 那麼我們一起來看一下 它的一個原理講解 我們來看一下 硅棒 首先你得準備一口鍋 一口大鍋 得要石英做的 然後你把多晶硅放進去 加熱到1400多度 使勁煮 這個時候多晶硅就融化掉了 然後你放進去一塊紫晶 慢慢往上拉 在拉的過程中 融化的硅就粘在紫晶身上 然後逐漸凝固下來 一圈一圈的往外生長 於是隨着你逐漸往上拉 你就得到了一條大棒子 因爲整個大棒 都是在最初的紫晶上 生長出來的 所以它就是一整塊晶體 是的 你得到了一條 一米多長的單晶硅大棒子 然後我們拿這條硅棒去滾磨 打定位邊 接下來就可以切片了 那麼這就是我們的第一個工藝 拉硅棒 那麼拉硅棒這個工藝的話 其實相對來說的話 其實是比較簡單的 因爲它那個爐子 我們用那種 用那種感應線圈的 我們在那個爐子側邊 給它布一圈 給它布一圈那個線圈 然後再通過線圈通電 然後再加入我們這個爐子 就可以給我們這個單晶硅加熱了 是不是 那麼加熱之後的話 再弄一個紫晶進去往外拉 它就自然而然的 就會得到一個 純度很高的硅棒 那麼這就是我們的第一個工藝 拉硅棒 好吧 那麼本期課到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是千年教育 周晗老師 在上期的話 我們是講了拉硅棒的工藝 那麼硅棒拉出來之後的話 其實它對硅棒本身 我們是還需要進行一個滾磨 跟那個開邊的 那麼像這種滾磨的話 就需要這種金棒磨牀 金棒磨牀 那麼金棒磨牀的話 它大概是長這個樣子 對吧 那麼就是把這種 一個剛拉出來的硅棒 把它弄到這個機牀上面去 對它的一個外表面進行一個研磨 讓它表面光滑一點 光滑一點 好 那麼我們一起來看一下 這個視頻 好 我們來看一下 這就是一個拉硅棒的 這就是一個硅棒研磨的機牀 那麼我們的硅棒的話 先放在這個上面 放在這個上面之後的話 再通過兩邊去夾緊 夾緊定位 我們來看一下 好 那麼現在的話 這個硅棒夾扯單元 進入我們這個加工區 然後扇了單元的話 它就逐步的退出來了 是吧 那麼可以看到這裏的結構 其實它下面的話 是有兩個絲桿 來控制我們這個夾爪 來夾緊張開的是吧 這裏的話應該是一個正反絲桿 那麼像我們這種單精硅棒的話 它一般是要加工一個扁位 或者一個微槽 那麼它加工這個扁位 或者微槽的目的 其實是用來 後面來進行一個定位的 定位 好 那麼至此的話 我們一根硅棒 我們就把它給研磨加工完畢了 對吧 好 那麼硅棒加工完成之後的話 下一步的話 我們就開始切片了 好 那麼本期的內容 到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是天真教育 卓航老師 那麼上一個的話 我們是講了硅棒研磨 那麼硅棒研磨之後的話 我們就要對硅棒進行切片了 那麼我們一起來看一下 那麼硅片切片的話 硅片切片的話 它一般是需要切片設備的 那麼切片設備的話 它一般是利用那種金剛繩來進行切的 那麼我們就一起來看一下 我們這個切片 它是怎樣的 來看一下 第二步 片硅片 咋片呢 你得準備一些鋼絲線 鋼絲線上加上金剛石顆粒 然後把它們拉直了 套到滾軸上 把硅棒放過來 滾軸一滾 硅片就給切成一片一片的了 這切法大使見了直呼內行 接下來你需要進行打磨 拋光 倒角等一系列工序 其實切硅片的這個工序的話 是比較簡單的 對吧 它主要是用那個一個繩子上面 加一些金剛石 然後把它給切開 切開 所以說這個工序的話 其實也難不到我們國內的一些廠商 也比較簡單 好 那麼本節課的內容 到這就結束了 同學們再見 大家好 我是千塵教育中華老師 那麼在上節課的話 我們是說了切片 那麼切片的話 它切出來的硅片 它的邊緣部分還是比較鋒利的 對不對 那麼這樣肯定是不好 所以說我們就需要對硅片 先進行一個倒角 那麼倒角的話 它就需要晶圓倒角設備 那麼我們一起來看一下 它這裏是怎麼來倒角 通過什麼原理來倒角的 來看一下 它主要是通過這種 這個輪子來倒角磨邊的 來大家磨邊 那麼這就是一個倒角的 實機運行視頻 我們來看一下 我把聲音打低一點 不然可能有點吵 有點吵 那麼現在可以看到的話 它現在是已經開始旋轉倒角了 其實這個設備的話 其實對於我們一些 電子元件的一些 防護要求還是比較高的 防護要求 因爲它的水比較多 對吧 好 那麼這樣的話 我們硅片的話 就給它進行倒角了 那麼我們本期內容 到這裏結束了 同學們再見 大家好 我是天真教育主號老師 在上一個的話 我們是說了 我們這個硅片需要倒角 對不對 那麼這裏倒角的話 我們也只是倒它的邊緣的角 那麼對於我們硅片的話 它的表面還是比較粗糙的 所以說硅片 它就需要研磨 對吧 好 那麼研磨的話 一般是需要CMP研磨設備 那麼我們就一起來看一下 它的研磨的原理是怎麼樣的 好吧 我們來看一下 它這裏的話 其實是一個太陽輪行星輪結構 它中間的話 是一個太陽輪 對不對 那麼邊緣四個的話 是行星輪 那麼通過太陽輪旋轉的話 從而帶動我們這個行星輪旋轉 同時的話 它們的旋轉 下面的旋轉 和上面的研磨輪的旋轉 方向是不一樣的 這樣的話 才能夠更好的研磨 那麼這就是我們研磨的一個過程 其實研磨這個工序的話 對於我們國產的 對於我們國產的設備來講的話 還是比較簡單的 也比較簡單 好吧 那麼這就是我們研磨的過程 同學們 再見 大家好 我是青天教育中華老師 在上一個的話 我們是說了研磨了 那麼研磨之後的話 其實對於我們晶圓就需要檢測了 只不過這裏的檢測的話 其實它的原理很簡單 它就是利用相機 進行一個AI檢測 對不對 那麼這個原理的話 也是比較簡單的 所以說老師在這裏的 我就不多做那個說明了 好吧 好 那麼檢測之後的話 就需要對我們這一個 這個硅片 來進行一個 拋光清洗 其實主要是清洗 清洗設備 那麼清洗的話 其實我們 也是有設備來清洗的 而且這個工序的話 其實也不難 那麼我們來看一下 它的一個視頻 步驟四是拋光和清洗 將切割後的晶片 放入石刻劑中 去除表面雜質 這裏的話 我們主要是把這個硅片 把它放到 放到一些化學溶劑中 它就可以來清洗了 來去除表面的雜質 那麼當然的話 這裏的話可能還會配上 那個超聲波清洗 因爲這樣的話 才能夠 讓它的清洗的一個程度 更乾淨一點 配上那個超聲波 然後再就是拋光了 其實拋光和那個研磨 差不多 爲什麼呢 拋光的話 它只是說 它的一個目數 更大一點 它那個更細膩一點 其實原理上 和那個研磨是差不多的 上面所示的是晶圓 下面是拋光墊和研磨液 在化學機械研磨CMP中 爲了獲得超平坦的晶體表面 應當使用超細顆粒 對晶片進行機械和化學拋光 這一步驟完成後 我們就能得到一片 可以使用的晶圓了 那麼至此的話 我們這個晶圓製造 就完成了 是吧 那麼我們下期的話 就來講我們這個IC IC製造好吧 那麼同學們再見 大家好 我是清晨教育 總和老師 那麼本節課的話 我們就來開始講 IC晶圓製造了 好吧 那麼我們晶圓製造的話 IC製造 其實它的第一步是氧化 那麼氧化的話 就是在硅片表面 生成一層二氧化硅的氧化膜 那麼這裏的話 它是需要氧化爐的 氧化爐 因爲氧化的話 一般它是需要跟空氣反應 對不對 那麼氧化爐的話 我們一般是用這種 有力式和握式兩種 那麼先來給大家來講一下 氧化它的原理 好吧 第三步氧化 單晶硅是很嬌貴的 爲了避免污染 我們需要給它加一層保護膜 這就是氧化 硅氧化以後 得到二氧化硅 它是絕緣體 在芯片製造過程中 可以充當絕緣層 避免漏電 同時還可以作爲摻雜阻擋層 阻擋住不需要的摻雜 這一步比較簡單 正常來說 一塊硅片 你把它放在哪裏 它就會緩慢氧化 在表面形成一層二氧化硅膜 但是如果你着急 可以把它放到1200度的烤箱中 再通入水蒸氣 氧化速度就會大大加快 到這一步 你擁有了一塊表面鍍膜的硅片 接下來你再給它塗上一層 一微米左右的光刻膠 然後我們就可以進入最重要的環節 光刻 那麼這就是我們氧化的原理 其實也是通過高溫 然後再加上我們的水蒸氣 來讓它氧化的過程大大加快 其實在我們的常溫下 它也會氧化 只不過氧化的速率是很慢很慢的 所以說我們就利用高溫和水蒸氣 來讓它加快氧化 好 那麼這就是我們本節課的內容 那麼我們下節課的話 再見 大家好 我是青城教育主要老師 那麼在上一個的話 我們是講到了氧化 那麼這節的話 我們就來開始塗膠烘乾了 那麼這是塗膠的話 其實它主要是塗光刻膠 光刻膠 那麼這裏塗膠的話 它主要是在塗膠的過程當中 它需要轉的很快 爲什麼呢 因爲只有轉的很快的話 它才能夠把這個膠 把它給分佈均勻 好 那麼我們來看一下 塗膠這個工序的一個視頻 第四步 塗膠 光刻機刻的並不是硅片 而是光刻膠 你需要先在硅片上塗一層膠 先看怎麼塗膠吧 爲了不影響曝光 光刻膠需要非常均勻 所以現在一般使用旋轉塗膠的方法 你需要先找一個能旋轉的吸盤 把你的晶圓放上來 然後讓它轉起來 一邊轉 我們一邊把光刻膠 滴到晶圓的中心去 這些滴下來的光刻膠 因爲旋轉的離心力 就被甩出去了 於是在高速的旋轉下 你的光刻膠 就被均勻的塗抹在晶圓表面了 對於這個工序的話 其實在我國來講的話 它難的並不是旋轉 設備難的也並不是塗膠設備 它難的是光刻膠這個東西 當然的話 現在光刻膠 我國是已經攻克了 對吧 好 這就是塗膠的一個工藝 那麼本節課的內容 到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是千人教育卓華老師 那麼在上一個的話 我們是講到了塗膠烘乾 那麼塗膠烘乾之後的話 我們這一個 這個龜片的話 它就要進行光刻了 光刻 那麼光刻的話 也是我國被卡脖子的一個工藝 那麼我們來看一下 這個光刻 它到底是什麼樣子的 好吧 那麼我們一起來看一下 這個視頻 第五步光刻 接下來進入光刻環節 你需要一臺光刻機 因爲並沒有光刻機 現在這個視頻上面 看到的光刻的話 其實它是ASML的 極紫外的 這個EV光刻機 就開始產生化學反應了 有的光刻膠在見光以後 會變成可溶解的狀態 這就很容易 在接下來的環節中被沖洗掉 這種膠叫做正膠 另外一種光刻膠 則會在見光之後 變得更加堅固 所以不見光的地方 更容易沖洗掉 這種膠叫做負膠 現在的工藝 我們一般使用正膠 光刻是芯片製造裏 技術含量最高的一個環節 涉及到非常多的技術問題 好 這就是光刻的一個大概的原理 它就是利用光和光刻膠 來發生一個化學反應 從而來生成一定的電路圖案 對不對 那麼這裏比較複雜的 就是這裏的光 我們應該怎麼來發生 對不對 因爲光這個東西的話 它像一個光子 像一個光子的話 它沒有質量 而且它的體積是非常小的 所以說就比較難控制 是吧 好 那麼光刻膠的話 那麼光刻膠 它就可以溶解 可以溶解 所以說下一步的話 那麼就是顯影了 顯影 好吧 那麼本節課的內容 到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是天天教育中和老師 那麼在上一個的話 我們是講了光刻 對吧 那麼光刻膠的話 那麼光刻膠 它就變成那種可溶解的狀態 所以說下一步的話 就需要顯影 顯影 那麼顯影的話 它一般是需要顯影機的 那麼我們來看一下 顯影它到底是怎麼回事 好吧 它的工藝是怎麼樣的 第六步 顯影 光刻膠曝光以後 就進入顯影階段了 所謂顯影 就是把光刻膠上 不需要的部分 沖洗的問題 比如因爲液體的張力 很細小的地方 可能進不去 就溶解不乾淨 同樣其他的顯影方式 比如噴霧式顯影 一邊噴顯影液 一邊沖洗 同學們要有個概念 它剛纔視頻裏面 剛纔所說的 它有些地方的話 它很小 對不對 它溶解不進去 那麼這裏的小的話 它是指的那種 納米級別的一些 納米級別的一些尺度 所以說水 它因爲張力進不去 所以說這些顯影液 它因爲張力進不去 這是很正常的 好吧 可能進不去 就溶解不乾淨 同樣其他的顯影方式 比如噴霧式顯影 一邊噴顯影液 一邊沖洗 或者還有混凝式顯影 先噴一層顯影液泡一會兒 然後噴霧旋轉烘乾 接下來你需要把它放到 130-200度的烤箱中 烤30分鐘 這是爲了讓它酥脆可口 是爲了讓剩餘的光刻膠 粘得更牢固 因爲接下來 它就要接受更嚴酷的考驗了 好 那麼這就是我們顯影的 這個工藝 那麼顯影之後的話 它下一步的話 其實就要開始刻石了 那麼本節課的內容 到這就結束了 同學們 再見 大家好 我是清真教育主要老師 那麼本節課的話 我們就來看一下 刻石 它到底是怎麼回事 在上一個的話 我們是已經講到了 顯影 顯影的話 它就是把光刻膠 被光刻機刻到的地方 把它給衝解 把它給溶解掉 對吧 好 那麼它把那些地方 溶解之後的話 那麼就要刻石了 那麼刻石的話 它是需要刻石機子 那麼我們來看一下 這個刻石 它到底是怎麼樣的 第七步 刻石 爲了把光刻膠上 已經顯影的東西 刻到芯片裏 我們需要進入下一步了 這就是刻石 刻石其實和顯影 有點類似 顯影是在光刻膠上挖坑 刻石是在硅片上挖坑 既然 對 我們顯影是在光刻膠上挖坑 刻石是在硅片上挖坑 當然的話 它這裏挖的坑 其實是它表面的一層氧化層 二氧化硅 光刻膠上不需要的地方 已經被去掉 露出了下面的硅片 最容易想到的挖坑方式 還是浸泡 我們把整個硅片 放到刻石液中 露出來的部分 就被溶解掉了 於是光眼膜上的圖像 就被永久地刻到了硅片上 這種通過浸泡 來溶解挖坑的方式 叫做施法刻石 施法刻石很簡單 比如各項同性問題 你希望的刻石方式是這樣的 只溶解下面的部分 但刻石液在實際溶解的過程中 可是不分前後左右的 於是最後挖出來的坑 可能是這樣的 這就叫各項同性問題 再比如選擇筆的問題 刻石液在溶解硅片的同時 也會溶解光刻膠 只不過一個溶解快 另一個溶解的慢 兩者溶解速度的比值 就叫做選擇比 假設你要在硅片上挖出一個深坑 但是刻石液的選擇比 卻不夠大 那麼很可能你坑還沒有挖完呢 周圍的光刻膠 已經被溶解乾淨了 於是爲了滿足更高的工藝要求 我們有了幹法刻石 要做幹法刻石 你需要一個容器 這個容器叫做反應室 反應室上方有一個圓盤狀的墊級 能夠產生射頻電場 在反應室的下方 我們接上負極 同時把晶圓放上去 然後我們從一邊通入反應氣體 反應氣體在射頻作用下 就會被墊離成等離子體 等離子體由帶負電的電子 和帶正電的離子組成 於是帶正電的離子 就會被吸引到晶圓這一邊 高速的離子撞擊到晶圓上 就會把晶圓上露出來的部分刻石掉 幹法刻石因爲反應氣體的不同 會有不同的特點 如果反應氣體是腐蝕性氣體 主要還是靠腐蝕 這種攻擊就是化學攻擊 選擇比會比較好 但是各項同性問題會更嚴重 如果反應氣體是惰性氣體 那就主要是靠高速的離子 把晶圓上的原子撞飛 這就是物理攻擊 各項同性問題可以避免一些 但是這種攻擊屬於無差別攻擊 所以選擇比就會差很多 說到這裏 我們順便說一句 刻石是我們在整個芯片製造流程中 最少被卡脖子的環節之一 中微公司的三納米刻石機 已經能夠量產 具備了在國際市場上 和頂尖廠商掰掰手腕的能力 刻石在芯片製作中有很多作用 它既可以刻出芯片上的溝槽和凸起 也可以刻石掉表面的二氧化硅阻擋層 好在硅晶體中摻雜別的元素 來製造晶體管 我們回頭看看一開始提到的路斯管 上面這兩塊是失主 也就是n需要摻零 這需要通過摻雜來實現 那麼這就是刻石 那麼刻石其實說白了 它就是一個化學反應 不管是用我們的刻石液來實現 還是說用那種鋼法刻石來實現 對不對 所以說的話從原理上來講的話 刻石是比較簡單的 是比較簡單的 所以說我國也很少被卡脖子 對吧 那麼本節課的內容到這裏就結束了 同學們再見 在上節課的話 我們是說了刻石 那麼刻石之後的話 其實我們芯片表面 它需要用光刻的地方的話 它也都被光刻了 對不對 所以說它後面也不需要光刻了 所以說光刻膠 它就沒用了 對吧 那麼沒用的話就需要去膠 這一步工序 那麼去膠 去膠的話 其實它是需要晶元去膠設備 其實它也是利用這些化學反應 來把這上面的光刻膠把它給去掉 那麼我們就一起來看一下 它這裏的去膠到底是怎麼樣的 好吧 去膠是光刻工藝中的最後一步 在刻石離子注入等圖形化工藝完成後 晶元表面剩餘光刻膠 已完成圖形轉移和保護層的功能 通過去膠工藝進行完全清除 避免影響後續集成電路芯片製造工藝效果 去膠工藝可分爲溼發和幹發去膠兩類 溼發去膠工藝使用溶劑 對光刻膠等進行溶解 幹發去膠工藝可視爲等離子刻石技術的延伸 主要通過等離子體和薄膜材料的化學反應完成 溼發去膠中使用的溶劑包括有機溶劑以及無機溶劑 有機溶劑主要有丙酮和芳香族的有機溶劑等 而無機溶劑則主要是硫酸和雙氧水等 將光刻膠中的碳元素氧化成爲二氧化碳 把光刻膠從硅片的表面去除 由於溶劑溢於金屬反應 因此不適合用鋁鋁同等製成的去膠 幹發去膠利用等離子體將光刻膠去除 以使用氧等離子爲例 硅片上的光刻膠通過在氧等離子體中發生化學反應 生成的氣態的一氧化碳 二氧化碳和水分等可以由真空系統抽走 幹發去膠適用於絕大部分的去膠工藝 是當前的主流方案 相較於半導體制成中的其他設備 去膠設備的市場規模相對較小 整體價值量較低 根據Gartner數據 2022年全球集成電路製造幹發去膠設備市場規模爲7億美元左右 近年來 全球集成電路製造幹發去膠設備領域呈現多寡頭競爭的發展趨勢 主要參與者包括一塘半導體 比斯科 日立高新 範林半導體 泰式半導體等 前五大廠商的市場份額合計超過90% 在國際巨頭歷來佔據主導地位的半導體設備領域 一塘半導體憑藉31.29%的市場佔有率位居全球第一 確立了在幹發去膠設備細分市場中國際領先的行業地位 目前去膠設備是我國半導體設備國產化替代中最爲成功的部分 由於幹發去膠設備整體市場規模有限 一塘半導體也在向其他工藝段設備發展 包括快速熱處理設備 幹發刻石設備等 那麼去膠的話 我國的國產替代是比較多的 對吧 爲什麼呢 也是因爲它比較簡單 對不對 也是一些化學反應 好 那麼這就是我們的去膠工藝的講解 那麼本期課內容到這就結束了 同學們 再見 大家好 我是清晨教育 主要老師 本期課的話 我們來講一下 離子注入也叫摻雜 那麼離子注入的話 它其實是把其他一些離子 把它摻雜到我們晶圓裏面去 好 那麼我們就來看一下離子注入 它到底是什麼樣的一個原理 好 我們一起來看下這個視頻 好 我們來看一下 第八步 摻雜 假設現在我們已經在二氧化硅薄膜上 用刻石挖出來兩個洞 接下來我們就需要把磷通過這兩個 就像墨汁在水中會散開一樣 在固體當中原子也會散開 不過我們需要足夠的溫度和濃度 所以我們把晶圓放在高溫的擴散爐管中 通入足夠濃度的雜質蒸汽 雜質原子就會擴散到晶圓上 然後一點一點擴散到裏面 然後你就完成了摻雜 但是隨着芯片尺寸越做越小 擴散方式的摻雜 因爲不能精確控制就不太夠用了 不如是用高能離子術將雜質直接 射入到硅 剛纔擴散的方式的話 其實它就只適用於那種 只適用於那種精度不高的晶圓 比如說那種28納米的 或者說100納米以上的對不對 那麼像我們現在7納米 3納米這種芯片的話 用這種摻雜就不可能實現了 就不可能 那麼這裏的話 它就需要用到其他的方式了 那麼我們一起來看一下 離子注入裝置長這個樣子 最上頭是離子注入源 因爲氣體最方便操作 所以一開始我們注入氣體 比如靈丸或者三幅畫棚 這些氣體通過離畫反應史時 被裏面的高速電子撞擊 電子撞飛了 變成離子狀態 不過這個時候的離子成分很複雜 比如我們現在需要膨離子 但撞出來的離子可能既有膨離子 又有浮離子 還有各種浮化膨離子 要是一股腦給射到晶圓裏 這塊晶圓就毀了 怎麼辦呢 需要通過質譜分析儀 把需要的離子挑出來 怎麼做呢 給它加一個外部的磁場 磁場的作用就是讓離子發生偏轉 因爲這個離子的話 它是帶電荷的 那麼帶電荷的東西的話 它在磁場裏面的話 它是會受到一定的作用力 所以說它就會發生偏移 那麼這個偏移的話 其實它是根據你帶電荷的數量 發生的偏移也不同 所以說它就是這個原理 這些離子有的大有的小 有的速度快有的速度慢 於是當它們軟彎時 有的畫的圈更大 有的畫的圈更小 我們在終點只留下很窄的一條縫隙 於是偏轉軌跡不對的就被擋住了 只有你需要的那種離子 因爲速度和運動軌跡正好合適 才能通過去 這樣就篩選掉了其他的離子 這些剩下的離子通過加速管 被磁場加速到足夠高的能量 然後通過磁透鏡再次聚焦 在飛行的過程中 它們可能和空間中殘留的氣體分子撞擊 導致某些粒子被中和 清除掉這些中性粒子 我們必須再加一個彎曲磁場 於是帶正電的粒子再次成功拐彎 最後撞擊到晶圓上 而中性粒子就直接飛出跑道之外 這就是離子注入方式的摻雜了 離子注入可能會撞壞原來 那麼這就是離子注入了 那麼離子注入的話 其實在這個過程當中的話 其實有一個比較嚴格的要求 就是要要求真空 因爲如果說你不是真空環境的話 那麼你這些離子 那麼就會和空氣裏面的一些分子來撞擊的話 那麼這樣的話 整個過程就毀了 對不對 所以說就需要真空環境 好那麼這就是離子注入 那麼我們離子注入的話 它也可能會撞壞原來 硅晶體中的一些晶格結構 硅晶體中的晶格結構造成損傷 爲了修復這些損傷 我們需要把它放在600-1000度的氫氣中烤一下 俗稱退火 對 所以說我們離子注入之後的話 下一步工序它就是退火了 好吧 那麼本節課的內容到這裏就結束了 同學們再見 在上節課的話 我們是講的離子注入 那麼離子注入之後的話 因爲一些離子的話破壞了它的晶格結構 所以說它就需要用退火來修復它的結構 好 那麼我們就來看一下退火 它的工藝有哪一些 先將晶圓加熱到一定溫度 並在此溫度下保持一段時間 然後以恆定的速度冷卻 以達到修復晶格缺陷 促進雜質分佈的目的 晶圓退火工藝可分爲 爐管退火 快速熱退火 RTA 激光退火 離子束退火等 目前晶圓廠中最常見的RTA退火系統 成本適中 均勻信號 能夠在幾秒到幾十秒的極短時間內 迅速升溫 保溫與冷卻 大大提高了晶圓退火效率與效果 好 那麼這就是退火的一個流程 那麼退火之後的話 其實我們晶圓就要開始薄膜沉積了 薄膜沉積 好吧 那麼本期內容到這就結束了 同學們再見 好 那麼在退火之後的話 我們就開始薄膜沉積了 薄膜沉積的話 其實它主要是氣象沉積 氣象沉積 那麼我們一起來看一下 它的一些原理是怎樣的 我們來反饋一下 有點卡 第九步薄膜沉積 說到現在 我們說的都是怎麼挖坑的技術 但是芯片上除了向下挖坑以外 還需要向上生長出很多層 這就是需要薄膜沉積技術的 要在晶圓上長出一些氣象沉積 種類很多 但簡單來說 都是利用化學物質在氣態下的反應來生成的 比如假設我們想要在晶圓上 再生成一層硅膜 可以通入兩種氣體 一種是四氯化硅 一種是氫氣 四氯化硅和氫氣反應 生成硅和氯化氫 氯化氫就是氣體 就跑掉了 而硅是固體 就沉澱下來 在晶圓上生成了一層硅膜 而物理氣象沉積 則是用物理方法 把要沉積的元素送達到晶體表面 比如建設沉積 它和前面講的幹法刻石有點類似 主要也是靠離子來轟擊 不過這次轟擊的不是晶圓 而是鍍膜用的材料 把你鍍膜用的材料作爲靶材 放到蒸發器裏 接上負電 然後通入亞氣 電離程等離子體 帶正電的離子被電場加速 就會撞擊到負電端的靶材上 把靶材的原子直接撞出來 這些原子在空中飛來飛去 有一部分就飛到晶圓上落下來 形成一層薄膜 物理氣象沉積 很多時候用來處理金屬 在硅片上形成金屬膜 好 接下來刻出導線電路 那麼這就是我們的薄膜沉積 因爲薄膜沉積的話 其實它主要是爲了金屬化 來做一個準備 因爲我們稍後的話 是要在晶圓上面 是需要刻出電路來的 好 那麼這就是我們薄膜沉積的一個原理 那麼同學們再見 在薄膜沉積之後的話 我們就要需要進金屬化了 那麼金屬化其實也是刻石 只不過他們刻石的對象是不一樣的 是不一樣 那麼我們一起來看一下 它這裏的原理是怎樣的 所以我們現在說第10步金屬化 通過摻雜沉積和刻石 你現在已經在硅片上形成了一些器件 它們就像一座座獨立的房子 需要道路連接起來 所以接下來 我們需要用導線將它們連起來 這個形成金屬導線的過程 就叫做金屬化 金屬化其實很簡單 首先在絕緣層上八個孔 將金屬沉積進去 然後再在上面生成 然後在上面生成一層金屬膜 這個工藝過程 其實就是我們上一步所講的薄膜沉積 薄膜沉積 其實就相當於是生成鍍膜 然後使用刻石把不需要的部分挖掉 你就得到了把不同器件連接在一起的導線 當然隨着芯片的縮小和複雜化 原先僅僅一個平面的金屬連線 已經不能滿足需要了 就像發達的城市需要立交橋 來解決複雜的交通問題一樣 我們也可以把金屬連線做成好幾層 來處理更復雜的路線問題 這也不難 無非就是把單層佈線的過程重複多次 再在不同的金屬層之間加上絕緣層而已 使用金屬化完成這一切以後 基本來說你的芯片就完成了 當然嚴格來說 它現在還不能叫芯片 只能算一塊佈滿芯片的晶圓 你還要把它切割封裝 最後它才能變成一塊一塊的芯片 但這不是我們要說的芯片的重點了 所以今天就此打住吧 現在我們回頭再看一看 一開始提到的MOSE管 這下面是受阻 也就是P 也就是需要摻棚和少量的零 上面這兩塊是施阻 也就是N 需要摻零 然後上面還有一層絕緣層 和一個可通電的山脊 你大概知道它是如何被刻出來的吧 我們假設現在的硅片 是已經預先做了P型摻雜的了 那麼要在這兩個位置摻雜零 我們需要先挖坑 也就是說先氧化 形成氧化層 然後塗光刻膠 用光刻在光刻膠上挖出洞 接着用刻石把氧化層挖掉 再氧化 這樣就在挖的坑上 形成了一層薄的二氧化硅 這層二氧化硅 是爲了做山脊下面的絕緣層的 接着我們用薄膜沉積 在上面生長出一層能導電的多晶硅 是的 這一塊就是將來的山脊 現在需要的幾層都已經準備好了 我們把它刻出來 還是先塗膠在光刻 然後挖掉光刻膠 接着用刻石挖出坑 現在你已經擁有了絕緣層和山脊 接下來就該摻雜上場了 通過摻雜 我們在這兩個坑的底部 摻雜進零原子 於是兩塊N型半導體就生成出來 一個貌似瓜已經基本起火了 最後兩個步驟 首先再生成一層氧化層 作爲絕緣層 然後再次動用光刻和刻石 在氧化層上打上三個洞 通過金屬化生成一層金屬膜 把金屬放進去 然後在整個表面再生成一層金屬膜 再次動用光刻和刻石 把不需要的部分挖掉 只留下導線部分 於是一個可以和其他器件相連接的 貌似瓜就製作出來了 而一個芯片 就是這樣無數個器件 通過複雜的導線連接起來 才能夠完成複雜的運算任務 那麼這就是我們整個金元 它中斷的工藝 那麼它整個中斷的工藝 其實也是最難的 對吧 那麼當然的話 其實不同規格的芯片 他們的工藝流程的話 其實也是光刻 顯影 以及刻石 這些工藝不斷的來疊加的 對不對 那麼像華爲的話 像華爲他們的芯片的話 他們就是通過多重曝光的形式 來達到效果 對吧 那麼當然的話 實際的工藝的話 肯定是比我現在給同學們講的話 它會更復雜一點 好吧 好那麼這就是本期課的內容 同學們 再見 大家好 我是天真教育中華老師 那麼在金屬化之後的話 我們下一步的話 其實對於我們金元 其實還是需要進行一個研磨的 那麼研磨的話 其實和之前的研磨差不多 也是需要CMP研磨設備 是吧 那麼這裏研磨的話 我就不多講 不多講 因爲這個的話之前也說過了 對不對 研磨的話 它也不是屬於什麼非常高端的工藝 那麼IC製造完成之後的話 那麼下一步的話 它就是IC封裝測試了 那麼IC封裝測試的話 首先第一步的話 它就是金元減薄 它不需要那麼厚 所以說我們就需要把它的背面 再給它磨薄一點點 那麼我們來看一下它的一個視頻 好吧 那麼其實關於後端的設備的話 我們國產是都沒問題的 金元減薄的具體步驟 是把所要加工的金元 粘貼到減薄膜上 然後把減薄膜及上面芯片 利用真空吸附到 不孔陶瓷成品臺上 飛行金剛石砂輪工作面的內外圓 就是通過上面的砂輪 來磨整個金元的背面 從而實現減薄的目的 從中間調整到硅片的中心位置 硅片和砂輪照各自的軸線迴轉 進行切劑磨效 磨片時 需要在正面貼膠帶保護電路區域 同時研磨背面 研磨之後 去除膠帶測量厚度 那麼這就是我們整個金元減薄的 一個原理及過程 好吧 那麼本期課的內容 到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是清真教育主考老師 那麼在上一個的話 我們講了金元減薄 那麼金元減薄之後的話 其實就需要對我們金元上面 進行劃片了 因爲我們一個金元上面 它是有很多個芯片的 所以說它是需要切割的 那麼像金元劃片設備的話 其實它一般可以採用那種激光劃片 激光劃片 我們來看一下 這是一個金元切割的3D動畫 這裏的話 它先取一片金元 那麼像這種取金元的接手的話 其實都是集成的 通過視覺來定位 這裏的話是先通過視覺來定位 那麼視覺定位之後 再通過激光來切割 劃線 激光劃線切割 就這麼循往復的話 就把整個的一個金元把它給切割成 很多層小的芯片了 那麼到這裏的話 其實它就切完了 切完之後 下一步就是貼片了 貼片 再來切下一片 那麼這就是我們的切片的工藝 一些演示 那麼本期課的內容到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是天真教育中文老師 在上一個的話 我們是已經講了 這個劃片 就是切片工藝 那麼切片 切片之後的話 我們就需要把一片片的芯片 單個芯片 把它給貼到其他地方去 對不對 所以說這裏的話 它就需要貼片 那麼就需要貼片機 貼片機 當然的話 這裏的貼片機 它並不是指的那種smt的貼片機 他們貼的是不不一樣的東西 好吧 那麼我們就一起來看一下 這個金元貼片 它的是什麼樣子的 其實很簡單 就是把已經切好的芯片 把它通過搬運 把它放在我們那個封裝底座上面 然後再通過膠水什麼的 把它們粘在一起 這就是金元貼片了 是不是 這個過程其實也比較簡單 最多可能就是說 需要節拍快一點 好吧 那麼本期內容 到這裏就結束了 同學們 再見 大家好 我是青龍教育主要老師 在上期的話 我們是已經說了 這個貼片 我們是把芯片 把它放到我們封裝底座上面去 對不對 那麼放到封裝底座上面去之後的話 我們就需要通過 引線 把封裝底座上的一些針腳 和我們芯片上面的一些位置 把它連起來 從而形成一個閉合的電路 對吧 那麼所以說 在這個過程當中的話 就需要這個引線鍵盒設備 對吧 好 那麼我們就一起來看一下 這裏是個什麼原因 這種速度非常快 相當於人類眨眼的速度 第三效率 芯片鍵盒設備的效率非常高 通常可以在短短几秒鐘內 完成成千上萬的漢字 這相當於人類需要幾個小時 才能完成的工作量 芯片鍵盒設備具有極高的精度 速度和效率 可以在非常短的時間內 完成大量的漢字工作 它是芯片製造中 不可或缺的重要設備 你知道國內有哪些芯片鍵盒廠家嗎 那麼其實這個設備還是有難度的 爲什麼 就是因爲它的節拍太快太快了 對不對 節拍快精度高 其實精度的話還好 精度20微米 兩個字 兩個字的精度 其實還好 主要是它的節拍太快了 節拍 那麼這就是我們的鍵盒設備 好 那麼本期課的內容 到這裏就結束了 同學們再見 大家好 我是青城教育 整合老師 在上期的話 我們是說了引線鍵盒 那麼其實引線鍵盒之後的話 我們這個芯片 它就需要封裝了 封裝的話 其實就是在封裝底座上面 再來給它扎一層防護 那麼我們來看一下 這個封裝是什麼樣子的 爲什麼有的芯片是迎角封裝 手機的芯片 則是用的底部BGA 球三正面封裝 我們先看這個芯片 所謂的芯片 其實只有中間很小的一部分 仔細看到的結構 芯片是正面朝上 內部的電路會連接到四周的圖塊 然後再一根一根打線 打出比頭髮絲還要細的經線 連接到迎角 然後再用外殼粘連保護 這種封裝就稱爲打線封裝 其實這個的話 它可能是需要那種成型設備 成型設備 通過那種塑料粒子成型 隨着芯片的功能越多 四周迎角數量也要隨之增加 相應的外殼體積 就不得不做得更大 如果要做成手機處理器級別的芯片 估計光一塊芯片 體積就得和110先差不多大 很顯然這種封裝肯定不合適 我們再來看看 另一種封裝是如何解決體積問題的 拆開芯片外殼 芯片是正面朝下 然後整面鋪滿圖塊 這些圖塊緊貼着一塊導線載板 注意看 導線載板的線路 是直接穿孔到另一面 然後植入金屬球 芯片就是通過這些金屬球 和外部連接 對比之前 面積變得更小 影角數量可以變得非常多 如果是用在手機裏的芯片 到這一步還不夠 手機芯片除了核心計算 還有存儲、基帶 其他等等多種模塊 也就是要將多個模塊的芯片 實現相互通信 並且整合在一個封裝裏 它的原理是將所有芯片模塊朝下 放很多非常細微的圖塊 然後接上一塊系中介板 利用化學的方法 在系中介板刺刻出線路 並且這些線路是穿孔打通 線路只有十微米 又爲頭髮絲的十分之一 一個絲嘛 再放金屬圖塊連接導線載板 導線載板的線路 同樣也是穿孔打通 再接上非常多的金屬球 這一種封裝就是2.5D封裝 目前110線芯片 以及其他芯片 都是採用這種封裝 從實物可以看到 背部的金屬球非常密集 金屬球之間的間距也非常窄 在焊接電路板的時候 稍微有點傾斜 金屬球非常容易接觸焊盤 所以手機芯片的焊接環節 會採用SMT貼片機 利用機器來識別焊盤的位置 精準貼裝芯片 想要看壓在中間的焊盤 是否準確對準 直接看肯定是看不到的 所以SMT工廠會採用S-Ray設備 它的原理類似於照X光 可以清楚看到內部的接觸狀況 透過這個鏡頭也能清楚看到 非常細小的線路 芯片採用的2.5D封裝想要突破 無論怎麼擺 所有芯片模塊都是凝固在一個面 還有更加突破的技術 這是連芯片本身也進行穿孔 也就是中間層的芯片 本身既保持原功能 還要打孔起到上下相通的作用 所以要在晶體管石刻階段 需要考慮走線穿孔的問題 這個難度非常非常大 目前能夠做到穿孔的芯片 只有一種 就是DRAM內存芯片 目前已經實現3D封裝的芯片 是用在攝像頭的頭像處理芯片 頂部是用於受光的傳感器 中間是DRAM實現中間穿孔 底部則是用於邏輯運算的計算模塊 正好組成一組3D封裝 所以未來 芯片的發展方向 是將所有芯片實現穿孔堆疊在一起 這個難度非常非常難 目前還沒能夠實現 好 那麼這就是我們的封裝 那麼本期課的內容到這裏就結束了 同學們再見 在上期課的話 我們是說了這個封裝 對不對 那麼封裝之後的話 那麼就是測試了 那麼測試也是我們整個芯片 製造的最後一個環節了 那麼通過這個測試的話 來檢測我們這個芯片 它各個方面的一些功能 對吧 我們一起來看一下 包括以下幾個方面 電性能測試 芯片的電性能測試 是驗證芯片工作時的電壓和電流特性 常見的測試方法 包括輸入CC特性測試 直流電壓測試 交流電壓測試等 用於評估芯片的穩定性和可靠性 二 功耗測試 芯片的功耗測試 是爲了評估芯片 在不同工作條件下的能耗情況 通常使用功耗測量儀 對芯片進行測試 記錄芯片 在不同負載和頻率下的功耗數據 並通過分析數據來優化芯片的功耗性能 三 溫度測試 芯片的溫度測試 是爲了評估芯片 在工作過程中的溫度變化情況 常見的測試方法 包括使用溫度計或熱相儀 對芯片進行測量 以獲取芯片的溫度分佈圖 從而瞭解芯片的散熱效果和熱點分佈 四 容忍度測試 是爲了評估芯片 在不同外界條件下的容忍程度 如電壓波動 電磁干擾等 通過模擬外界條件的變化 對芯片進行測試 並分析芯片在不同條件下的響應和產生的誤差 以提高芯片的抗干擾能力和可靠性 芯片的測試原理 主要是通過對芯片的電信能 功耗 溫度和容忍度等參數的評比 來驗證芯片的穩定性和可靠性 以及對其進行優化和改進 好 這就是我們整個的一個測試 那麼至此的話 我們芯片的製作算是完成了 其實像這種半導體的產業 它的工藝 其實是比 它的工藝是要比設備 就是說更難的 因爲一般都是先有工藝 後纔會有設備 好吧 那麼這個專題到這裏就結束了 那麼如果說同學們 想要知道其他方面的一些知識的話 那麼也可以在評論區留言 好吧 那麼同學們 再見